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Silizium

2025-12-24
Siliziumwafer

Silizium-Laser-Mikrobearbeitung

Einkristallines Silizium bildet die Grundlage für integrierte Schaltungen (ICs), Prozessoren (CPUs) und hochwertige MEMS-Sensoren. Als sprödes Material neigt Silizium unter herkömmlicher Bearbeitungsbelastung zu Absplitterungen und Mikrorissen. Im Gegensatz zum Tiefenreaktiven Ionenätzen (DRIE), das kostspielige Masken erfordert, ist unsere Femtosekundenlasertechnologie maskenlos und äußerst flexibel.

Vorteile

Durch die Anwendung der Kaltablation eliminieren wir thermische Spannungen und erreichen so eine Präzision im Submikrometerbereich, ohne das Material zu beschädigen. Dadurch eignet sich unsere Lösung ideal für die Prototypenentwicklung auf Siliziumbasis, Machbarkeitsstudien und die kundenspezifische Fertigung in Kleinserien.
✅ Submikron-Präzision: Genauigkeit von ±1μm bei einer Oberflächenrauheit Ra ≤ 0,2μm.
✅ Keine thermischen Schäden: Die berührungslose Verarbeitung gewährleistet splitterfreie Kanten, kein Schmelzen und keine Mikrorisse.
✅ Vereinfachter Prozess: Maskenloser Betrieb, der kaum oder gar keine Nachbearbeitung erfordert.
✅ Kapazität: Unterstützt Wafer bis zu 350×350 mm mit einer Dicke von ≤ 2 mm.

Silizium-Mikrolochbohrung

Weit verbreitet für Halbleiter-Kühlkörper, MEMS-Entlüftungen und TSVs (Through-Silicon Vias). Wir nutzen Spiralbohren und Strahlformung für einen effizienten Energietransfer.
Hohe Qualität: Saubere Lochwände ohne Schmelz- oder Umformschichten.
Hohes Aspektverhältnis: Bis zu 1:10 für Bohrungen ohne Konizität.
Flexibilität: Unterstützt positive, negative oder Null-Konizität. Geeignet zum Bohren von Sacklöchern, Durchgangslöchern und Formlöchern (z. B. quadratisch).
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fs-Laser-Silizium-Mikrolochbohrung
fs-Laser-Silizium-Mikrolochbohrung
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Silizium-Mikrostrukturbildung
Silizium-Mikrostrukturbildung
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Silizium-Mikrostrukturbildung

Ideal für mikrofluidische Kanäle, Oberflächenmodifikationen, Ausrichtungsmarken und Sensorfunktionen.
Keine Einschränkungen hinsichtlich der Kristallorientierung: Im Gegensatz zur chemischen Ätzung erzeugt unser Laser komplexe 2D- und 3D-Strukturen unabhängig von der Kristallorientierung.
Rapid Prototyping: Macht Fotolithografiemasken überflüssig, senkt die Kosten und vereinfacht den Entwicklungsprozess von MEMS.
Kontrollierte Tiefe: Erzeugt in einem einzigen Arbeitsgang glatte Rillen (Ra ≤ 0,2 μm) sowohl auf ebenen als auch auf gekrümmten Oberflächen.
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Silizium-Feinschneiden

Wir bieten ein „beschädigungsfreies“ Zerkleinern von kleinen Waffeln und Sonderformen an.
Ultradünne Schnittfuge: Minimale Schnittfugenbreite von nur 3 μm.
Schnittqualität: Scharfe Kanten ohne Grate, ohne Verkohlung und ohne Verfärbungen.
Vielseitige Pfade: Unterstützt sowohl gerade Linien als auch beliebige Kurvenschnitte.
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ps-Laser (links) und fs-Laser (rechts) – Femtosekundenlaser liefern glatte Schnittkanten und keine Verkohlung
ps-Laser (links) und fs-Laser (rechts) – Femtosekundenlaser liefern glatte Schnittkanten und keine Verkohlung
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